Intel y sus memorias NAND Flash de alta velocidad

-Son cinco veces más rápidas que las actuales, con un proceso de datos de hasta 200 MB/s para lectura de datos y 100 MB/s para escritura.

Intel y Micron Technology crearon las memorias NAND Flash de alta velocidad que funcionan cinco veces más rápido que las actuales, permitiendo transmisiones de información en una fracción mínima de tiempo para aplicaciones de computación, video y fotografía, procesando hasta 200 MB/s para lectura de datos y 100 MB/s para escribirlos.

La tecnología aplicada aprovecha las especificaciones ONFI 2.0 y una arquitectura de cuatro planos con tiempos de reloj superiores, alcanzando velocidades de hasta 200 mega bytes por segundo para leer datos y 100 mega bytes por segundo para escritura.

Las memorias NAND actuales leen información con una rápidez de 40 MB/s y escriben a 20 MB/s.