-Se aplicarán al sistema LSI de procesamiento de gráficos, alcanzando una velocidad de 833Mhz a una densidad de 32MB.
Los investigadores de Toshiba Corporation lograron desarrollar la tecnología de circuitos más rápida hasta el momento para DRAM (memoria de acceso aleatorio dinámico) para el sistema LSI, con lo que se consigue una velocidad de 833Mhz a una densidad de 32MB.
Para lograr mayor velocidad de operación, se aplicó un sistema de dos puertos, tecnología que divide virtualmente en dos la memoria total, y después lee y escribe la información en paralelo y de forma alterna.
Al reemplazar el sistema de lectura y escritura serial convencional con la nueva tecnología paralela, y optimizar tales circuitos como la estructura de comando, se logró el más alto nivel de desempeño de DRAM a 32MB, densidad aplicable a los productos en la actualidad.
El sistema LSI con memoria DRAM incluida tendrá aplicación en los productos de consumo digitales de siguiente generación, en las aplicaciones de juegos, teléfonos móviles, proyectores y aplicaciones readicionadas con el despliegue de imágenes que necesitan transferencia a alta velocidad de grandes volúmenes de información.
Toshiba tiene planeado aplicar esta tecnología a su proceso de sistema LSI de 65nm, satisfaciendo la demanda para aplicaciones de gráficos avanzados a través del lanzamiento de la integración de SoC con la nueva memoria DRAM.
No hay comentarios:
Publicar un comentario